Memperluas jajaran seri MOSFET daya U-MOS IX-H bervoltase rendah
TOKYO--(Antara/BUSINESS WIRE)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation hari ini mulai mengirimkan "TPH3R70APL" dan "TPN1200APL," yang melengkapi seri MOSFET daya N-channel U-MOS IX-H bervoltase rendah berkapasitas 100V. Perangkat baru tersebut cocok untuk aplikasi catu daya dalam perlengkapan industri.
Lihat rilis pers multimedia selengkapnya di sini: http://www.businesswire.com/news/home/20171218005375/en/
Dibuat dengan proses trench U-MOS IX-H bervoltase rendah mutakhirnya, yang mengoptimalkan struktur elemen, TPH3R70APL dan TPN1200APL memberikan On-resistance[1] terendah dalam industri. Di samping itu, dibandingkan dengan perangkat saat ini yang menggunakan proses U-MOS VIII-H, perangkat baru tersebut memiliki "RDS(ON) x Qoss" yang lebih rendah, On-resistance times output charge, dan "RDS(ON) x QSW", On-resistance times gate switch charge, yang merupakan keunggulan MOSFET untuk aplikasi switching[2].
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation akan terus memperluas portfolio MOSFET-nya sesuai tren pasar guna ikut meningkatkan efisiensi catu daya.
Aplikasi
- Catu daya untuk perlengkapan industri
- Perlengkapan kontrol motor
Fitur
- On-resistance terendah dalam industri[1]
RDS(ON) = 3.7mΩ (max) @ VGS = 10V (TPH3R70APL)
RDS(ON) = 11.5mΩ (max) @ VGS = 10V (TPN1200APL)
- Output charge dan gate switch charge rendah
- Memungkinkan logic level drive 4,5V
Spesifikasi Utama
(Kecuali ditentukan lain, @Ta=25°C)
Nomor part Rating maksimal absolut Drain-source
On-resistance
RDS(ON) max
(mΩ) Total
gate
charge
Qg
typ.
(nC) Gate
switch
charge
Qsw
typ.
(nC)
Output
charge
Qoss
typ.
(nC) Input
capacitance
Ciss
typ.
(pF) Kemasan
Voltase drain-
source
VDSS (V) Drain
current
(DC)
ID
@Tc =
25℃
(A) @V
GS=
10V @V
GS=
4.5V
TPH3R70APL 100 90 3,7 6,2 67 21 74 4850 SOP
Advance
TPN1200APL 40 11,5 20 24 7,5 24 1425 TSON
Advance
Catatan:
[1] Per 18 Desember 2017 untuk MOSFET dengan rating yang setara. Survey Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation.
[2] TPH3R70APL memiliki RDS(ON) x Qoss 10% lebih rendah ketimbang seri U-MOS VIII-H TPH4R10ANL.
TPH3R70APL memiliki RDS(ON) x QSW 10% lebih rendah ketimbang seri U-MOS VIII-H TPH4R10ANL.
Ikuti tautan di bawah untuk informasi selengkapnya mengenai jajaran MOSFET.
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet.html
Layanan Pelanggan:
Power Device Sales & Marketing Department
Tel: +81-3-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html
*Segala informasi yang terkandung di dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, isi layanan, dan informasi kontak, berlaku pada tanggal siaran pers ini diumumkan tapi tunduk kepada berbagai perubahan tanpa adanya pemberitahuan terlebih dahulu.
Tentang Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation menggabungkan semangat perusahaan baru dengan kebijakan pengalaman. Sejak memisahkan diri dari Toshiba Corporation pada Juli 2017, kami telah mapan di antara perusahaan perangkat umum terkemuka, serta memberi pelanggan dan mitra bisnis kami solusi luar biasa dalam semikonduktor yang berbeda, LSI sistem dan HDD.
Ke-19.000 karyawan kami di seluruh dunia bertekad memaksimalkan nilai produk kami, dan menekankan kerjasama erat dengan pelanggan untuk mempromosikan penciptaan bersama nilai dan pasar baru. Kami ingin mengandalkan penjualan tahunan yang kini melampaui 700 miliar yen (USD6 miliar) dan ikut menciptakan masa depan yang lebih baik bagi orang di manapun.
Untuk informasi selengkapnya tentang kami, klik https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html
Lihat versi aslinya di businesswire.com: http://www.businesswire.com/news/home/20171218005375/en/
Kontak
Pertanyaan Media:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Chiaki Nagasawa, +81-3-3457-4963
Digital Marketing Department
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
Sumber: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Pengumuman ini dianggap sah dan berwenang hanya dalam versi bahasa aslinya. Terjemahan-terjemahan disediakan hanya sebagai alat bantu, dan harus dengan penunjukan ke bahasa asli teksnya, yang adalah satu-satunya versi yang dimaksudkan untuk mempunyai kekuatan hukum.
Toshiba perkenalkan MOSFET daya N-channel 100V untuk aplikasi industri
18 Desember 2017 18:02 WIB
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation:MOSFET daya N-channel 100V "TPH3R70APL" untuk aplikasi industri. (Antara/BUSINESS WIRE)
Pewarta: Adityawarman
Editor: PR Wire
Copyright © ANTARA 2017
Tags: