Keandalan MOSFET SiC yang khas akan menurun karena peningkatan On-resistance bila dioda badannya diberi energi bipolar[3] selama pengoperasian konduksi terbalik[4]. MOSFET SiC Toshiba mengatasi masalah ini melalui struktur perangkat yang menanamkan dioda pelindung Schottky (SBD) ke dalam MOSFET untuk menonaktifkan dioda badan, tapi penempatan SBD pada chip mengurangi area yang tersedia untuk saluran yang menentukan resistansi On-operation MOSFET dan meningkatkan On-operation chip.
SBD yang tertanam di X5M007E120 tersusun dalam pola kotak-kotak, bukan pola bergaris yang biasa digunakan. Susunan ini efektif menekan energi bipolar pada dioda badan perangkat sekaligus meningkatkan batas atas pengoperasian unipolar hingga kira-kira dua kali lipat area arus, bahkan ketika menempati area pemasangan SBD yang sama[5]. Kepadatan saluran juga ditingkatkan terhadap susunan bergaris, dan On-resistance per area unit juga rendah, berkurang hingga sekitar 20%-30%[5]. Peningkatan kinerja dan On-resistance rendah sekaligus menjaga keandalan terhadap pengoperasian konduksi terbalik ini akan menghemat energi dalam inverter yang digunakan untuk pengendali motor, misalnya inverter traksi otomotif.
Mengurangi On-resistance pada MOSFET SiC menyebabkan aliran arus berlebih melalui MOSFET saat hubungan arus pendek[6], sehingga mengurangi data tahan hubungan arus pendek. Meningkatkan konduksi SBD tertanam untuk meningkatkan keandalan pengoperasian konduksi terbalik juga meningkatkan kebocoran arus selama terjadi arus hubungan pendek sehingga kembali mengurangi daya tahan arus hubungan pendek. Bare die baru ini memiliki struktur pelindung yang dalam[7] dan menekan arus berlebih pada MOSFET dan arus bocor pada SBD selama status arus hubungan pendek, sehingga meningkatkan daya tahannya sekaligus menjaga keandalan yang luar biasa terhadap pengoperasian konduksi terbalik.
Pengguna dapat menyesuaikan bare die untuk memenuhi kebutuhan desain tertentu dan memberikan solusi bagi pengguaan mereka.
Toshiba memperkirakan penyediaan sampel teknis X5M007E120 pada tahun 2025, dan memulai produksi massal pada tahun 2026. Sementara itu, perusahaan akan lebih menjajaki peningkatan karakteristik perangkat.
Toshiba akan turut mewujudkan masyarakat dekarbonisasi dengan menyediakan semikonduktor daya yang lebih mudah digunakan dan berkinerja lebih tinggi bagi pelanggan untuk bidang-bidang yang memerlukan hemat energi, misalnya inverter untuk pengendali motor dan sistem kontrol daya untuk kendaraan listrik.
Catatan:
[1] Produk chip tanpa kemasan.
[2] Peralatan yang mengubah daya DC bertenaga baterai menjadi daya AC dan mengendalikan motor pada kendaraan listrik (EV) atau kendaraan hibrida HEV).
[3] Pengoperasian bipolar ketika tegangan maju diterapkan pada dioda pn antara drain dan sumber.
[4] Pengoperasian di mana arus mengalir dari sumber menuju drain MOSFET karena arus balik di sirkuit.
[5] Dibandingkan produk Toshiba yang menggunakan pola bergaris.
[6] Fenomena di mana konduksi jangka panjang terjadi selama mode abnormal seperti kerusakan sirkuit kontrol, dibandingkan dengan konduksi jangka pendek selama pengoperasian switching normal. Harus ada kekokohan sempurna dengan durasi pengoperasian arus hubungan pendek tertentu.
[7] Elemen struktur perangkat yang disediakan untuk mengendalikan medan listrik tinggi karena tegangan tinggi. Hal ini sangat memengaruhi kinerja perangkat.
Penggunaan
• Inverter traksi otomotif
Fitur
• On-resistance rendah dan keandalan tinggi
• Bare die untuk otomotif
• Memenuhi kualifikasi AEC-Q100
• Peringkat tegangan dari drain ke sumber: VDSS=1200V
• Peringkat arus drain (DC): ID=(229)A[8]
• On-resistance Rendah:
RDS(ON),7.2mΩ (tip.) (VGS=+18V, Ta=25 °C)
RDS(ON)=12,1mΩ (tip.) (VGS=+18V, Ta=175 °C)
Catatan
[8] Nilai tentatif
Spesifikasi Utama
(Ta=25 °C, kecuali disebutkan lain)
Nomor suku cadang X5M007E120
Paket Nama paket Toshiba 2-7Q1A
Ukuran (mm) Tip. 6.0×7.0
Peringkat Maksimum Absolut Tegangan Drain-source VDSS (V) 1200
Tegangan Gate-source VGSS (V) +25/-10
Arus Drain (DC) ID (A) (229)[8]
Arus Drain (pulsed) ID Pulse (A) (458)[8]
Suhu saluran Tch (°C) 175
Karakteristik Listrik Tegangan ambang Gate
Vth (V) VDS =10V,
ID=16,8mA Tip. 4,0
On-resistance Drain-source
RDS(on) (mΩ) ID=50A,
VGS =+18V Tip. 7,2
ID=50A,
VGS =+18V,
Ta=175 °C Tip. 12,1
Tegangan Maju
VSD (V) ISD=50A,
VGS =-5V Tip. -1,21
Tegangan Maju
VSD (V) ISD=50A,
VGS=-5V,
Ta=175 °C Tip. -1,40
Resistansi gate internal
rg (Ω) Open drain,
f=1MHz Tip. 3.0
Ikuti tautan di bawah ini untuk informasi lebih lanjut tentang X5M007E120 dalam rilis berita lengkap.
Toshiba Mulai Pengiriman Sampel Uji MOSFET SiC 1200V Bare Die dengan On-Resistance Rendah dan Keandalan Tinggi Untuk Penggunaan di Inverter Traksi Otomotif
Ikuti tautan berikut untuk informasi lebih jauh tentang Perangkat Daya SiC Toshiba.
Perangkat Daya SiC
* Nama perusahaan, nama produk, dan nama layanan mungkin adalah merek dagang milik masing-masing perusahaan.
* Informasi dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, konten layanan dan informasi kontak, adalah yang terbaru pada tanggal pengumuman namun dapat berubah tanpa pemberitahuan sebelumnya.
Tentang Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation adalah penyedia terkemuka di bidang solusi semikonduktor dan solusi penyimpanan yang canggih. Dengan pengalaman dan inovasi selama lebih dari setengah abad, kini menawarkan semikonduktor diskrit, produk sistem LSI sistem dan HDD yang luar biasa kepada pelanggan dan mitra bisnis.
19.400 karyawan Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation di seluruh dunia memiliki tekad yang sama, yaitu memaksimalkan nilai produk dan mendorong kerja sama erat dengan pelanggan untuk menciptakan nilai dan pasar baru bersama-sama. Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation berharap untuk berkontribusi dan membangun masa depan lebih cerah bagi semua orang di mana saja.
Ketahui lebih lanjut di https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
Pengumuman ini dianggap sah dan berwenang hanya dalam versi bahasa aslinya. Terjemahan-terjemahan disediakan hanya sebagai alat bantu, dan harus dengan penunjukan ke bahasa asli teksnya, yang adalah satu-satunya versi yang dimaksudkan untuk mempunyai kekuatan hukum.
Tersedia Galeri Multimedia/Foto: https://www.businesswire.com/news/home/54145871/en
Kontak
Pertanyaan Pelanggan
Power & Small Signal Device Sales & Marketing Dept.I
Tel: +81-44-548-2216
Hubungi Kami
Pertanyaan Media
Chiaki Nagasawa
Digital Marketing Dept.
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
Sumber: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
SBD yang tertanam di X5M007E120 tersusun dalam pola kotak-kotak, bukan pola bergaris yang biasa digunakan. Susunan ini efektif menekan energi bipolar pada dioda badan perangkat sekaligus meningkatkan batas atas pengoperasian unipolar hingga kira-kira dua kali lipat area arus, bahkan ketika menempati area pemasangan SBD yang sama[5]. Kepadatan saluran juga ditingkatkan terhadap susunan bergaris, dan On-resistance per area unit juga rendah, berkurang hingga sekitar 20%-30%[5]. Peningkatan kinerja dan On-resistance rendah sekaligus menjaga keandalan terhadap pengoperasian konduksi terbalik ini akan menghemat energi dalam inverter yang digunakan untuk pengendali motor, misalnya inverter traksi otomotif.
Mengurangi On-resistance pada MOSFET SiC menyebabkan aliran arus berlebih melalui MOSFET saat hubungan arus pendek[6], sehingga mengurangi data tahan hubungan arus pendek. Meningkatkan konduksi SBD tertanam untuk meningkatkan keandalan pengoperasian konduksi terbalik juga meningkatkan kebocoran arus selama terjadi arus hubungan pendek sehingga kembali mengurangi daya tahan arus hubungan pendek. Bare die baru ini memiliki struktur pelindung yang dalam[7] dan menekan arus berlebih pada MOSFET dan arus bocor pada SBD selama status arus hubungan pendek, sehingga meningkatkan daya tahannya sekaligus menjaga keandalan yang luar biasa terhadap pengoperasian konduksi terbalik.
Pengguna dapat menyesuaikan bare die untuk memenuhi kebutuhan desain tertentu dan memberikan solusi bagi pengguaan mereka.
Toshiba memperkirakan penyediaan sampel teknis X5M007E120 pada tahun 2025, dan memulai produksi massal pada tahun 2026. Sementara itu, perusahaan akan lebih menjajaki peningkatan karakteristik perangkat.
Toshiba akan turut mewujudkan masyarakat dekarbonisasi dengan menyediakan semikonduktor daya yang lebih mudah digunakan dan berkinerja lebih tinggi bagi pelanggan untuk bidang-bidang yang memerlukan hemat energi, misalnya inverter untuk pengendali motor dan sistem kontrol daya untuk kendaraan listrik.
Catatan:
[1] Produk chip tanpa kemasan.
[2] Peralatan yang mengubah daya DC bertenaga baterai menjadi daya AC dan mengendalikan motor pada kendaraan listrik (EV) atau kendaraan hibrida HEV).
[3] Pengoperasian bipolar ketika tegangan maju diterapkan pada dioda pn antara drain dan sumber.
[4] Pengoperasian di mana arus mengalir dari sumber menuju drain MOSFET karena arus balik di sirkuit.
[5] Dibandingkan produk Toshiba yang menggunakan pola bergaris.
[6] Fenomena di mana konduksi jangka panjang terjadi selama mode abnormal seperti kerusakan sirkuit kontrol, dibandingkan dengan konduksi jangka pendek selama pengoperasian switching normal. Harus ada kekokohan sempurna dengan durasi pengoperasian arus hubungan pendek tertentu.
[7] Elemen struktur perangkat yang disediakan untuk mengendalikan medan listrik tinggi karena tegangan tinggi. Hal ini sangat memengaruhi kinerja perangkat.
Penggunaan
• Inverter traksi otomotif
Fitur
• On-resistance rendah dan keandalan tinggi
• Bare die untuk otomotif
• Memenuhi kualifikasi AEC-Q100
• Peringkat tegangan dari drain ke sumber: VDSS=1200V
• Peringkat arus drain (DC): ID=(229)A[8]
• On-resistance Rendah:
RDS(ON),7.2mΩ (tip.) (VGS=+18V, Ta=25 °C)
RDS(ON)=12,1mΩ (tip.) (VGS=+18V, Ta=175 °C)
Catatan
[8] Nilai tentatif
Spesifikasi Utama
(Ta=25 °C, kecuali disebutkan lain)
Nomor suku cadang X5M007E120
Paket Nama paket Toshiba 2-7Q1A
Ukuran (mm) Tip. 6.0×7.0
Peringkat Maksimum Absolut Tegangan Drain-source VDSS (V) 1200
Tegangan Gate-source VGSS (V) +25/-10
Arus Drain (DC) ID (A) (229)[8]
Arus Drain (pulsed) ID Pulse (A) (458)[8]
Suhu saluran Tch (°C) 175
Karakteristik Listrik Tegangan ambang Gate
Vth (V) VDS =10V,
ID=16,8mA Tip. 4,0
On-resistance Drain-source
RDS(on) (mΩ) ID=50A,
VGS =+18V Tip. 7,2
ID=50A,
VGS =+18V,
Ta=175 °C Tip. 12,1
Tegangan Maju
VSD (V) ISD=50A,
VGS =-5V Tip. -1,21
Tegangan Maju
VSD (V) ISD=50A,
VGS=-5V,
Ta=175 °C Tip. -1,40
Resistansi gate internal
rg (Ω) Open drain,
f=1MHz Tip. 3.0
Ikuti tautan di bawah ini untuk informasi lebih lanjut tentang X5M007E120 dalam rilis berita lengkap.
Toshiba Mulai Pengiriman Sampel Uji MOSFET SiC 1200V Bare Die dengan On-Resistance Rendah dan Keandalan Tinggi Untuk Penggunaan di Inverter Traksi Otomotif
Ikuti tautan berikut untuk informasi lebih jauh tentang Perangkat Daya SiC Toshiba.
Perangkat Daya SiC
* Nama perusahaan, nama produk, dan nama layanan mungkin adalah merek dagang milik masing-masing perusahaan.
* Informasi dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, konten layanan dan informasi kontak, adalah yang terbaru pada tanggal pengumuman namun dapat berubah tanpa pemberitahuan sebelumnya.
Tentang Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation adalah penyedia terkemuka di bidang solusi semikonduktor dan solusi penyimpanan yang canggih. Dengan pengalaman dan inovasi selama lebih dari setengah abad, kini menawarkan semikonduktor diskrit, produk sistem LSI sistem dan HDD yang luar biasa kepada pelanggan dan mitra bisnis.
19.400 karyawan Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation di seluruh dunia memiliki tekad yang sama, yaitu memaksimalkan nilai produk dan mendorong kerja sama erat dengan pelanggan untuk menciptakan nilai dan pasar baru bersama-sama. Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation berharap untuk berkontribusi dan membangun masa depan lebih cerah bagi semua orang di mana saja.
Ketahui lebih lanjut di https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
Pengumuman ini dianggap sah dan berwenang hanya dalam versi bahasa aslinya. Terjemahan-terjemahan disediakan hanya sebagai alat bantu, dan harus dengan penunjukan ke bahasa asli teksnya, yang adalah satu-satunya versi yang dimaksudkan untuk mempunyai kekuatan hukum.
Tersedia Galeri Multimedia/Foto: https://www.businesswire.com/news/home/54145871/en
Kontak
Pertanyaan Pelanggan
Power & Small Signal Device Sales & Marketing Dept.I
Tel: +81-44-548-2216
Hubungi Kami
Pertanyaan Media
Chiaki Nagasawa
Digital Marketing Dept.
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
Sumber: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation