Kawasaki, Jepang--(ANTARA/Business Wire)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") menambahkan "Seri TRSxxx120Hx" dari produk 1200V ke jajaran dioda Schottky Barrier (SBD) silikon karbida (SiC) generasi ketiga untuk peralatan industri, misalnya inverter fotovoltaik, stasiun pengisian daya kendaraan listrik, dan catu daya switching. Hari ini Toshiba mulai mengirimkan sepuluh produk baru seri ini, lima dalam paket TO-247-2L dan lima dalam paket TO-247.

Seri TRSxxx120Hx baru ini adalah produk 1200V yang menggunakan struktur Junction-Barrier Schottky (JBS) yang telah disempurnakan[1] dari SBD SiC 650V generasi ketiga Toshiba. Dengan menggunakan logam baru pada junction barrier, produk baru ini dapat mencapai [2] tegangan maju rendah sebesar 1,27V (tipikal) yang terdepan di industrinya, total muatan kapasitif rendah, dan arus balik rendah. Sehingga jauh lebih mengurangi kehilangan daya pada peralatan saat menggunakan daya lebih tinggi.



Toshiba akan terus memperluas jajaran perangkat daya SiC dan berfokus pada peningkatan efisiensi yang mengurangi kehilangan daya pada peralatan listrik industri.



Catatan:
[1] Struktur JBS yang Disempurnakan: Struktur yang menggabungkan struktur Merged PiN Schottky (MPS), yang mengurangi tegangan maju pada arus tinggi, ke dalam struktur JBS, yang menurunkan medan listrik pada antarmuka Schottky dan mengurangi kebocoran arus.
[2] Di antara SBD SiC 1200V. Per September 2024, survei Toshiba.



Penggunaan



    • Inverter fotovoltaik
    • Stasiun pengisian daya kendaraan listrik
    • Catu daya switching untuk peralatan industri, UPS



Fitur



    • SBD SiC 1200 V generasi ketiga
    • Tegangan maju rendah yang terdepan di industri ini: VF＝1,27V (tip.) (IF=IF(DC))
    • Total muatan kapasitif rendah: QC=109nC (tip.) (VR=800V, f=1MHz) untuk TRS20H120H
    • Arus balik rendah: IR＝2.0μA (tip.) (VR=1200V) untuk TRS20H120H



Spesifikasi Utama
 (Kecuali disebutkan lain, Ta =25 °C)
Nomor Suku Cadang Paket Peringkat maksimum absolut Karakteristik listrik Pemeriksaan & Ketersediaan Sampel
  Tegangan balik puncak berulang
VRRM
(V) Arus DC maju
IF(DC)
(A) Arus lonjakan maju puncak tak berulang
IFSM
(A) Tegangan maju (pengukuran pulse)
VF
(V) Arus balik (pengukuran pulse)
IR
(μA) Total muatan kapasitif
QC
(nC)
      Kondisi suhu
Tc
(°C) f=50Hz
(gelombang setengah sinus, t=10md),
Tc=25 °C IF=IF(DC) VR=1200V VR=800V, f=1MHz
      Tip. Tip. Tip.
TRS10H120H
TO-247-2L 1200 10 160 80 1,27 1,0 61 Beli Online
TRS15H120H
  15 157 110 1,4 89 Beli Online
TRS20H120H
  20 155 140 2,0 109 Beli Online
TRS30H120H
  30 150 210 2,8 162 Beli Online
TRS40H120H
  40 147 270 3,6 220 Beli Online
TRS10N120HB
TO-247 5 (Per leg)
10 (Kedua leg) 160 40 (Per leg)
80 (Kedua leg) 1.27
(Per leg) 0.5
(Per leg) 30
(Per leg) Beli Online
TRS15N120HB
  7,5 (Per leg)
15 (Kedua leg) 157 55 (Per leg)
110 (Kedua leg) 0.7
(Per leg) 43
(Per leg) Beli Online
TRS20N120HB
  10 (Per leg)
20 (Kedua leg) 155 70 (Per leg)
140 (Kedua leg) 1.0
(Per leg) 57
(Per leg) Beli Online
TRS30N120HB
  15 (Per leg)
30 (Kedua leg) 150 105 (Per leg)
210 (Kedua leg) 1.4
(Per leg) 80
(Per leg) Beli Online
TRS40N120HB
  20 (Per leg)
40 (Kedua leg) 147 135 (Per leg)
270 (Kedua leg) 1.8
(Per leg) 108
(Per leg) Beli Online



Ikuti tautan berikut untuk informasi lebih lanjut tentang produk baru ini.



Ikuti tautan di bawah ini untuk mengetahui lebih lanjut tentang SiC SBD Toshiba.



Ikuti tautan di bawah ini untuk informasi lebih lanjut tentang Perangkat Daya SiC Toshiba.



Untuk memeriksa ketersediaan produk baru di distributor online, kunjungi:
TRS10H120H
TRS15H120H
TRS20H120H
TRS30H120H
TRS40H120H
TRS10N120HB

TRS15N120HB
TRS20N120HB
TRS30N120HB
TRS40N120HB



* Nama perusahaan, nama produk, dan nama layanan mungkin merupakan merek dagang milik masing-masing perusahaan.
* Informasi dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, isi layanan dan informasi kontak, adalah yang terbaru pada tanggal pengumuman namun dapat berubah tanpa pemberitahuan sebelumnya.



Tentang Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation



Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation adalah penyedia terkemuka di bidang solusi semikonduktor dan solusi penyimpanan yang canggih. Dengan pengalaman dan inovasi selama lebih dari setengah abad, kini menawarkan semikonduktor diskrit, LSI sistem dan produk HDD yang luar biasa kepada pelanggan dan mitra bisnis.



19.400 karyawan Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation di seluruh dunia memiliki tekad yang sama, yaitu memaksimalkan nilai produk dan mendorong kerja sama erat dengan pelanggan untuk menciptakan nilai dan pasar baru bersama-sama. Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation berharap untuk berkontribusi dan membangun masa depan lebih cerah bagi semua orang di mana saja.



Ketahui lebih jauh di https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html




Pengumuman ini dianggap sah dan berwenang hanya dalam versi bahasa aslinya. Terjemahan-terjemahan disediakan hanya sebagai alat bantu, dan harus dengan penunjukan ke bahasa asli teksnya, yang adalah satu-satunya versi yang dimaksudkan untuk mempunyai kekuatan hukum.



Tersedia Galeri Multimedia/Foto: https://www.businesswire.com/news/home/54126329/en



Kontak
Pertanyaan Pelanggan:
Power & Small Signal Device Sales & Marketing Dept.
Tel: +81-44-548-2216



Pertanyaan Media:
Chiaki Nagasawa
Digital Marketing Dept.
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation



Sumber: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation