Jakarta (ANTARA) - Samsung secara khusus merayakan pengiriman pertama untuk chip 3 nanometernya Gate-All-Around yang diumumkan memulai produksi massalnya sejak awal bulan ini.

Samsung diketahui mulai meneliti transistor GAA pada awal tahun 2000-an dan bereksperimen dengan desain pada 2017.

Mengutip GSM Arena, Selasa, sekarang Samsung siap untuk memproduksi chip secara massal menggunakan proses baru.

Baca juga: Riset: Ponsel 5G makin diminati, namun belum banyak opsi

Dibandingkan dengan desain FinFET, yang telah menjadi standar selama beberapa tahun desain Gate-All-Around memungkinkan transistor untuk membawa lebih banyak arus sementara tetap relatif kecil.

Menurut Samsung, chip GAA 3nm akan menggunakan daya 45 perseb lebih sedikit, 23 persen lebih cepat, dan 16 persen lebih kecil dibandingkan chip FinFET 5nm serupa.

Samsung tidak mengatakan jenis chip apa yang ditebar untuk pengiriman pertama, tetapi perusahaan berencana untuk mengembangkan chipset smartphone menggunakan desain 3nm GAA.

TSMC juga akan memulai pembuatan massal chip 3nm akhir tahun ini, meskipun mereka masih akan menggunakan desain FinFET.

Nantinya perusahaan asal Taiwan itu akan beralih ke desain GAAFET dengan transisi ke node 2nm.

Baca juga: Motorola bersiap rilis RAZR 3 saingi Samsung Galaxy Z Flip4

Baca juga: Samsung berencana buka 11 pabrik chip di Texas

Baca juga: Tak banyak pilihan, ponsel Xiaomi terlaris di segmen 5G